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三星3nm良率翻至3倍!仍落后于台积电
内容简介:据媒体透露,有消息人士称,三星电子的3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺的良率已经实现了三倍的提高, 从先前的10%至20%上升至30%至60%之间,然而,这仍然落后于竞争对手台积电。 除此之外,台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片,这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。 报道指出,三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力,并在功耗...
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