内容简介：2024年1月初，从天津大学处获悉，石墨烯制成的半导体有了重大的突破。天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心教授马雷及其科研团队的研究成果《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》，已于1月3日在《自然》杂志网站上在线发布。 该新型半导体采用创新的准平衡退火方法，通过对外延石墨烯生长过程的精确调控，成功地在石墨烯中引入了带隙，使其具有生长面积大、均匀性高，工艺流程简单、成本低廉等优势...
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